Схема 2-хтактного импульсного преобразователя
Преобразователь выполнен на широко распространенной микросхеме ШИМ-контроллере
1114ЕУ4 (полный импортный аналог TL494), что позволяет сделать схему довольно
простой. В нормальном состоянии (при нулевом напряжении на затворе) транзисторы
VT1, VT2 закрыты и открываются импульсами с соответствующих выходов микросхемы.
Резисторы R7-R9 и R8-R10 ограничивают выходной ток микросхемы, а также величину
напряжения на затворе ключей. Цепь из элементов C1-R2 обеспечивает плавный выход
на рабочий режим при включении питания (постепенное увеличение ширины импульсов
на выходах микросхемы). Диод VD1 предохраняет повреждение элементов схемы при
ошибочном подключении полярности питания. Диаграммы напряжений, поясняющие работу,
показаны на рисунке 2. Как видно на рисунке (а), задний фронт импульса имеет
большую длительность, чем передний. Это объясняется наличием емкости затвора
полевого транзистора, заряд которой рассасывается через резистор R9 (R10) во
время, когда выходной транзистор микросхемы закрыт. Это увеличивает время закрывания
ключа. Так как в открытом состоянии на полевом транзисторе падает напряжение
не более 0,1 В, потери мощности в виде небольшого нагрева VT1 и VT2 происходят
в основном за счет медленного закрывания транзисторов (именно этим ограничена
максимальная допустимая мощность нагрузки).
Параметры данной схемы при работе на лампу мощностью 100 Вт приведены в таблице
1. В холостом ходу потребляемый ток составляет 0,11 А (9 В) и 0,07 А (15 В).
Рабочая частота преобразователя около 20 кГц. Трансформатор Т1 выполнен на 2-х
сложенных вместе кольцевых сердечниках из феррита марки М2000НМ1 типоразмера
К32х20х6. Параметры обмоток указаны в таблице 2. До намотки острые грани сердечника
необходимо закруглить надфилем или грубой наждачной бумагой. При изготовлении
трансформатора сначала наматывается вторичная обмотка. Намотка выполняется виток
к витку, в один слой с последующей изоляцией лакотканью или фторопластовой лентой.
Первичные обмотки 1 и 2 наматываются двумя проводами одновременно (равномерно
распределив витки на магнитопроводе). Такая намотка позволяет значительно уменьшить
выбросы напряжения на фронтах при закрывании полевых ключей. Транзисторы устанавливаются
на теплоотвод, в качестве которого применен дюралевый профиль. Радиаторы закрепляются
на краях печатной платы.
В качестве силовых ключей на мощность до 60 Вт в приведенной схеме можно также
применять транзисторы N-типа со статической индукцией КП958А (БСИТ — Bipolar
Static Induction Transistor). Они разработаны специально для работы в высокочастотных
источниках питания. Физика работы такого транзистора близка к работе обычного
биполярного, но из-за конструктивных особенностей он имеет ряд преимуществ:
1) низкое падение напряжения исток-сток в открытом состоянии;
2) повышенный коэффициент усиления;
3) высокое быстродействие при переключении;
4) повышенная устойчивость к тепловому пробою. В этом случае транзисторы лучше
подобрать с одинаковыми параметрами, а резисторы R9 и R10 уменьшить до 100…
150 Ом.
Рисунок 2 — Диаграмма
Uпит В
Iпотр A
Uвых B
Рпотр Вт
Рнагр Вт
КПД
12
7,9
220
94,8
82
0,87
Таблица 1 — Параметры схемы при изменении напряжения питания
Обмотка
Число витков
Провод
Индуктивность
1
8
ПЭЛ 0,8…1,0
200мкГн
2
8
ПЭЛ 0,8…1,0
200мкГн
3
300
ПЭЛ 0,25
318мкГн
4
10
ПЭЛШО 0,25
97мкГн
Таблица 2 — Параметры обмоток трансформатора Т1
По материалом книги "Полезные схемы" И.П. Шелестов