Описываемый усилитель, возможно, использовать с любыми источниками сигнала. Предназначен усилитель для работы с колонками, или динамическими головками мощностью 1 – 1,5 Вт. Его можно также использовать как усилитель для наушников. Собран усилитель на широкодоступных компонентах, которые можно извлечь из неисправной бытовой аппаратуры советского производства. Далее представлены два варианта этого усилителя.
Первый вариант (К157УД2)
Характеристики:
Чувствительность 600 мВ.
THD % на частоте 1000 Гц не более 0,7%
Максимальная выходная мощность не более 0,7 – 1 Вт.
Собран усилитель на микросхеме К157УД2 и восьми транзисторах. Отличительной особенностью данного усилителя является наличие малого количества пассивных компонентов. Всего 4 резистора и 4 конденсатора на канал.
Электрическая принципиальная схема усилителя:
Принцип работы:
Сигнал усиленный микросхемой поступает на выходной каскад собранный на транзисторах. Каждое плечо этого каскада усиливает свою полуволну сигнала. В точке соединения эмиттеров транзисторов сигнал обьединяется и подаётся в нагрузку. Напряжение равное половине напряжения источника питания устанавливается резисторами R2 и R3 (левый канал), также R5 и R6 (правый канал). В цепи отрицательной обратной связи стоит резистор R4 (левый канал) и R8 (правый канал).
Применяемые детали и возможная замена:
DA1 (к157уд2) можно заменить на любой сдвоенный операционный усилитель
Выходные транзисторы можно заменить на:
VT1, VT5 КТ315 с любым буквенным индексом, также можно применить КТ3102 с любым буквенным индексом.
VT3, VT7 КТ361 с любым буквенным индексом, также можно применить КТ3107 с любым буквенным индексом. Очень важно чтобы коэффициенты усиления транзисторов VT1 и VT3, также VT5 и VT7 были равны.
Мощные транзисторы можно заменить на КТ814 и КТ815 с любыми буквенными индексами, но с равными коэффициентами усиления.
2 вариант (К157УД1)
Чувствительность 500 мВ.
THD % на частоте 1000 Гц не более 0,8%
Максимальная выходная мощность не более 0,7 – 1,5 Вт.
Схема второго варианта (показан 1 канал, второй собирается по аналогичной схеме).
В связи с применением более мощной микросхемы К157УД1, отпала необходимость использования транзисторов VT1, VT3, VT5, VT7, как в первом варианте. На выходе микросхемы во время работы присутствует сигнал достаточной амплитуды и мощности, чтобы подать на базы мощных транзисторов.
Применяемые детали и возможная замена:
Вместо микросхемы DA1 (к157уд1) можно применить любой одинарный операционный усилитель серий КР574, К140, К153. Но в плане экономии компонентов предпочтительнее первый вариант усилителя.
Вместо выходных транзисторов кт814в и кт815в можно применить транзисторы подобного типа с любыми буквенными индексами, но (обязательное условие) с равными коэффициентами усиления.
На видео показана работа первого варианта усилителя, второй вариант собрал но видео с ним не стал снимать.
Список радиоэлементовОбозначение
Тип
Номинал
Количество
ПримечаниеМагазинМой блокнот
Вариант 1 (К157УД2)DA1
МикросхемаК157УД21
VT1, VT5
Биполярный транзисторКТ315А2
КТ3102 VT2, VT6
Биполярный транзисторКТ815Б2
VT3, VT7
Биполярный транзисторКТ361А2
КТ3107 VT4, VT8
Биполярный транзисторКТ814Б2
С1, С6
Конденсатор1 мкФ2
Пленочный С2, С7
Конденсатор24 нФ2
Пленочный С3, С8
Конденсатор0.022 мкФ2
Пленочный С4, С9
Электролитический конденсатор1000 мкФ х 16В2
С5
Электролитический конденсатор4700 мкФ х 16В1
R1, R7
Переменный резистор100 кОм1
Сдвоенный R2, R3, R5, R6
Резистор100 кОм4
R4, R8
Резистор150 кОм2
Вариант 2 (К157УД2)DA1
МикросхемаК157УД11
VT1
Биполярный транзисторКТ815В1
VT2
Биполярный транзисторКТ814В1
С1
Электролитический конденсатор10 мкФ х 16В1
С2
Конденсатор200 нФ1
Пленочный С3, С4
Конденсатор68 нФ2
Пленочный С5
Электролитический конденсатор1000 мкФ х 16В1
R1
Переменный резистор10 кОм1
R2, R3
Резистор33 кОм2
R4
Резистор300 Ом1
R5
Резистор150 кОм1
Добавить все
Скачать список элементов (PDF)
Прикрепленные файлы:
- usilok.lay (15 Кб)
Теги: